MICROPROCESADOR de 3V 700MA 2W CERAMIC3030 390-400LM SMD LED PARA PLANTLIGHTING
Característica
(660 nanómetro) las versiones azul marino (450 nanómetro) y ultra rojas proporcionan la luz requerida para la fotosíntesis
La versión del infrarrojo lejano (730 nanómetro) puede controlar el proceso entero de plantas de la germinación al crecimiento vegetativo y entonces al flowerin
La luz blanca de EQ puede realizar modelo de radiación innovador de trabajo humanizado del rendimiento energético del ambiente el alto (alto actual de impulsión del máximo del μ mol/J), único. Emparejado con una solución modificada para requisitos particulares del fósforo, este último LED ilumina las plantas uniformemente para el crecimiento uniforme mientras que facilita el aumento de fotones rojos no-convertidos para entregar eficacia llana del accesorio superior.
Además, este LED de alta potencia proporciona confiabilidad excelente, curso de la vida de la ONG, robustez probada y la termal baja
Grados máximos
Valores del símbolo del parámetro
| Temperatura de funcionamiento |
T
de Op. Sys.
|
mínimo.
máximo.
|
-40 °C
°C 120
|
| Temperatura de almacenamiento |
T
stg
|
mínimo.
máximo.
|
-40 °C
°C 120
|
| Temperatura de empalme |
T |
máximo. |
°C 135 |
| Absolute* de la temperatura de empalme |
Tjabs |
máximo. |
°C 150 |
| Corriente delantera |
Yo |
mínimo.
máximo.
|
100 mA
1800 mA
|
|
Sobretensión
µs del ≤ 10 de t; D el = 0.005%; TJ = °C 25
|
FS |
máximo. |
2000 mA |
| Voltaje reverso 2) |
V |
|
No diseñado para la operación reversa |
|
El ESD soporta voltaje
CRNA. a ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, clase 3B)
|
ESD |
|
8 kilovoltios |
Esto es verificada probando 30 pedazos. Criterios del paso: Ningunos fracasos catastróficos permitidos, flujo luminoso deben ser mejores que L70B50 después de H. 1000.
Características
I = 700 mA; TJ = °C 25
Parámetro Símbolo Valores
| Ángulo de visión en el 50% IV |
2φ tipo. ° 140 |
|
Voltaje delantero 4)
I = 700 mA
|
VF mínimo 2,80 V
tipo. 2,90 V
máximo 3,20 V
|
| 2) actual reverso |
IR No diseñado para la operación reversa |
| Empalme eléctrico/solderpoint de la resistencia termal con el ηe de la eficacia el = 65% |
RthJS eléctrico tipo. 1,6 K/W |
Grupos del voltaje delantero
Voltaje delantero del grupo 4)
I = 700 mA
VF:
| 2.8v |
2.9v |
| 2.9v |
3.0v |
| 3.0v |
3.1v |
| 3.1v |
3.2v |
Emisión espectral relativa
Irel = f (λ); SI = 700 mA; TJ = °C 25
Características de la radiación
Irel = f (ϕ); TJ = °C 25
Dibujo dimensional
Información adicional: magnesio 29,0
Peso aproximado: Marca del paquete: Cátodo
Prueba de corrosión: Clase: 3B
Condición de prueba: derecho/15 PPM de 40°C/el 90% de H2S/14 días (de más estricto que IEC 60068-2-43)
Consejo del ESD: El dispositivo es protegido por el dispositivo del ESD que está conectado paralelamente con el microprocesador.
Perfil el soldar de flujo
El producto cumple al CRNA del nivel 2 de MSL. a JEDEC J-STD-020E
Característica del perfil Símbolo Asamblea Pb-libre (de SnAgCu) Unidad
Máximo mínimo de la recomendación
|
Tarifa de la rampa-para arriba al preheat*) 2
°C 25 al °C 150
|
3 |
K/s |
|
tS 60 100
T a T
|
120 |
s |
|
Tarifa de la rampa-para arriba al peak*) 2
T a T
|
3 |
K/s |
| Temperatura TL de Liquidus 217 |
|
°C |
| Tiempo sobre la temperatura tL del liquidus 80 |
100 |
s |
| Temperatura máxima T 245 |
260 |
°C |
|
Tiempo dentro del °C 5 del pico especificado 10 20
temperatura TP - 5 K
|
30 |
s |
|
Rate* de la rampa-abajo 3
T al °C 100
|
6 |
K/s |
|
Tiempo
°C 25 al TP
|
480 |
s |
Todas las temperaturas refieren al centro del paquete, medido en el top del componente * cálculo DT/Dt de la cuesta: Máximo 5 s de despegue; cumplimiento para el t entero
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