MICROPROCESADOR de 2V 350MA 0.67W CERAMIC3030 70-100LM 620-632NM SMD LED PARA la iluminación del jardín de la arquitectura (LED y laser)
robustez superior, alta confiabilidad, curso de la vida largo, resistencia termal baja. Perfectamente dirección de los usos que exigen para la eficacia alta y el paquete de cerámica de SMT del requisito largo del curso de la vida con la lente del silicón
Radiación: 80° ESD: CRNA de 8 kilovoltios. al flujo luminoso de ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, clase 3B): tipo. eficacia luminosa de 85 lm: tipo. 115 lm/W
Grados máximos
Parámetro Símbolo Valores
| Temperatura de funcionamiento |
Top
|
mínimo.
máximo.
|
-40 °C
°C 125
|
| Temperatura de almacenamiento |
Tstg
|
mínimo.
máximo.
|
-40 °C
°C 125
|
| Temperatura de empalme |
T |
máximo. |
°C 135 |
| Corriente delantera |
Yo |
mínimo.
máximo.
|
100 mA
1000 mA
|
|
Sobretensión
µs del ≤ 10 de t; D = 0,005; TJ = °C 25
|
FS |
máximo. |
1500 mA |
| Voltaje reverso 2) |
V |
|
No diseñado para la operación reversa |
|
El ESD soporta voltaje
CRNA. a ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, clase 3B)
|
ESD |
|
8 kilovoltios |
Características
I = 700 mA; TJ = °C 25
Parámetro Símbolo Valores
| Longitud de onda máxima |
λpeak tipo. 6340 nanómetro |
|
Longitud de onda del centro de figura 3)
I = 350 mA
|
λdom mínimo 620 nanómetro
tipo. 623 nanómetro
máximo 632 nanómetro
|
|
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|
| Ancho de banda espectral en el rel, máximo |
∆λ tipo. 16 nanómetro |
| Ángulo de visión en el 50% IV |
2φ tipo. ° 80 |
|
Voltaje delantero 4)
I = 350 mA
|
1.8V
2.00V
2.30V
|
| 2) actual reverso |
No diseñado para la operación reversa |
| Empalme eléctrico/solderpoint de la resistencia termal con el ηe de la eficacia el = 74% |
RthJS eléctrico tipo. 2,5 K/W |
Grupos del voltaje delantero
Voltaje delantero del grupo 4)
I = 350 mA
| 70 lm |
75 lm |
|
75 lm
|
82 lm |
| 82 lm |
90 lm |
| 90 lm |
100 lm |
Centroide
Grupo
Longitud de onda del centro de figura 3)
I = 350 mA
λcentroid
Emisión espectral relativa
Irel = f (λ); SI = 350 mA; TJ = °C 25
Características de la radiación
Irel = f (ϕ); TJ = °C 25
Dibujo dimensional
Información adicional:
Peso aproximado: magnesio 28,0
Marca del paquete: Ánodo
Prueba de corrosión: Clase: condición 3BTest: derecho/15 PPM de 40°C/el 90% de H2S/14 días (de más estricto que IEC 60068-2-43)
Consejo del ESD: El dispositivo es protegido por el dispositivo del ESD que está conectado paralelamente con el microprocesador.
Perfil el soldar de flujo
El producto cumple al CRNA del nivel 2 de MSL. a JEDEC J-STD-020E
Característica del perfil Símbolo Asamblea Pb-libre (de SnAgCu) Unidad
Máximo mínimo de la recomendación
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Tarifa de la rampa-para arriba al preheat*) 2
°C 25 al °C 150
|
3 |
K/s |
|
tS 60 100
T a T
|
120 |
s |
|
Tarifa de la rampa-para arriba al peak*)
T a T 2
|
3 |
K/s |
| Temperatura TL de Liquidus 217 |
|
°C |
| Tiempo sobre la temperatura tL del liquidus 80 |
100 |
s |
| Temperatura máxima T 245 |
260 |
°C |
|
Tiempo dentro del °C 5 del pico especificado 10 20
temperatura TP - 5 K
|
30 |
s |
|
Rate* de la rampa-abajo 3
T al °C 100
|
6 |
K/s |
|
Tiempo
°C 25 al TP
|
480 |
s |
Todas las temperaturas refieren al centro del paquete, medido en el top del componente * cálculo DT/Dt de la cuesta: Máximo 5 s de despegue; cumplimiento para la T-gama entera
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