MICROPROCESADOR de 2V 350MA 0.67W CERAMIC3030 70-100LM 620-632NM SMD LED PARA la terapia médica de la foto de la iluminación
robustez superior, alta confiabilidad, curso de la vida largo, resistencia termal baja. Perfectamente dirección de los usos que exigen para la eficacia alta y el paquete de cerámica de SMT del requisito largo del curso de la vida con la lente del silicón
Radiación: 80° ESD: CRNA de 8 kilovoltios. al flujo luminoso de ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, clase 3B): tipo. eficacia luminosa de 85 lm: tipo. 115 lm/W
Grados máximos
Parámetro Símbolo Valores
| Temperatura de funcionamiento |
Top
|
mínimo.
máximo.
|
-40 °C
°C 125
|
| Temperatura de almacenamiento |
Tstg
|
mínimo.
máximo.
|
-40 °C
°C 125
|
| Temperatura de empalme |
T |
máximo. |
°C 135 |
| Corriente delantera |
Yo |
mínimo.
máximo.
|
100 mA
1000 mA
|
|
Sobretensión
µs del ≤ 10 de t; D = 0,005; TJ = °C 25
|
FS |
máximo. |
1500 mA |
| Voltaje reverso 2) |
V |
|
No diseñado para la operación reversa |
|
El ESD soporta voltaje
CRNA. a ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, clase 3B)
|
ESD |
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8 kilovoltios |
Características
I = 700 mA; TJ = °C 25
Parámetro Símbolo Valores
| Longitud de onda máxima |
λpeak tipo. 6340 nanómetro |
|
Longitud de onda del centro de figura 3)
I = 350 mA
|
λdom mínimo 620 nanómetro
tipo. 623 nanómetro
máximo 632 nanómetro
|
|
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|
| Ancho de banda espectral en el rel, máximo |
∆λ tipo. 16 nanómetro |
| Ángulo de visión en el 50% IV |
2φ tipo. ° 80 |
|
Voltaje delantero 4)
I = 350 mA
|
1.8V
2.00V
2.30V
|
| 2) actual reverso |
No diseñado para la operación reversa |
| Empalme eléctrico/solderpoint de la resistencia termal con el ηe de la eficacia el = 74% |
RthJS eléctrico tipo. 2,5 K/W |
Grupos del voltaje delantero
Voltaje delantero del grupo 4)
I = 350 mA
| 70 lm |
75 lm |
|
75 lm
|
82 lm |
| 82 lm |
90 lm |
| 90 lm |
100 lm |
Centroide
Grupo
Longitud de onda del centro de figura 3)
I = 350 mA
λcentroid
Emisión espectral relativa
Irel = f (λ); SI = 350 mA; TJ = °C 25
Características de la radiación
Irel = f (ϕ); TJ = °C 25
Dibujo dimensional
Información adicional:
Peso aproximado: magnesio 28,0
Marca del paquete: Ánodo
Prueba de corrosión: Clase: condición 3BTest: derecho/15 PPM de 40°C/el 90% de H2S/14 días (de más estricto que IEC 60068-2-43)
Consejo del ESD: El dispositivo es protegido por el dispositivo del ESD que está conectado paralelamente con el microprocesador.
Perfil el soldar de flujo
El producto cumple al CRNA del nivel 2 de MSL. a JEDEC J-STD-020E
Característica del perfil Símbolo Asamblea Pb-libre (de SnAgCu) Unidad
Máximo mínimo de la recomendación
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Tarifa de la rampa-para arriba al preheat*) 2
°C 25 al °C 150
|
3 |
K/s |
|
tS 60 100
T a T
|
120 |
s |
|
Tarifa de la rampa-para arriba al peak*)
T a T 2
|
3 |
K/s |
| Temperatura TL de Liquidus 217 |
|
°C |
| Tiempo sobre la temperatura tL del liquidus 80 |
100 |
s |
| Temperatura máxima T 245 |
260 |
°C |
|
Tiempo dentro del °C 5 del pico especificado 10 20
temperatura TP - 5 K
|
30 |
s |
|
Rate* de la rampa-abajo 3
T al °C 100
|
6 |
K/s |
|
Tiempo
°C 25 al TP
|
480 |
s |
Todas las temperaturas refieren al centro del paquete, medido en el top del componente * cálculo DT/Dt de la cuesta: Máximo 5 s de despegue; cumplimiento para la T-gama entera
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