la CA 3V 2016 20-30LM llevó la luz de bulbo de Chip Led Smd Bead Chips

Informacion basica
Lugar de origen: SUZHOU
Nombre de la marca: PHOENIX
Número de modelo: 2016
Cantidad de orden mínima: 4000PCS
Precio: Negotiation
Detalles de empaquetado: 4000PCS /ROLL
Tiempo de entrega: 7-10 días
Condiciones de pago: Western Union, MoneyGram, T/T
Capacidad de la fuente: 400KK POR MES
Nombre: Color blanco de SMD LED 2016 voltaje del nput (V): 3V
CCT: 2700K 3000K 6000K Poder: 0.2W
Flujo luminoso (lm): 20-30lm Garantía (año): 2 años
Hora laborable (horas): 20000 Índice de representación de color (ra): 80
Temperatura de funcionamiento (℃): -40-85 Eficacia luminosa de la lámpara (lm/w): 130
Alta luz:

la CA 2016 llevó el microprocesador

,

La CA de Smd llevó el microprocesador

,

el smd llevado gotea la luz de bulbo de los microprocesadores

MICROPROCESADOR de 3V 60MA 0.2W 2016 20-30LM PPT SMD LED USADO PARA la TIRA del LED

 
Decoración exterior: luz corriente diurna, luz de niebla, luz de señal de vuelta, luz posterior de la combinación, iluminación de la placa, iluminación del cuerpo (tal como parrilla y logotipo)
Interior: mapa e iluminación interior de la bóveda
visualización:
Lámpara portátil
Contraluz de la exhibición
iluminación:
Iluminación interior, al aire libre y arquitectónica
Iluminación decorativa y del entretenimiento
Publicidad de la iluminación
Lámpara de señal
 
1.Feature:

Ángulo de visión: 120 grados

Ø los materiales de los dados del LED es InGaN

Ø 2.2mm*1.6mm*0.6m m

El soldar sin plomo obediente de Ø RoHS compatible

 

estructura 2.Package:

la CA 3V 2016 20-30LM llevó la luz de bulbo de Chip Led Smd Bead Chips 0

                                                                             Unidad: milímetro de tolerancia: +/-0.2mm

 

 

Figura: esquema circular fino de serie del poder medio 0.2W

Tolerancia: ±0.2mm a menos que se indicare en forma diferente

Electrodos: Aleación de cobre de galjanoplastia del AG

Encapsulado de la resina: Resina del silicio

Paquete: Polímero a prueba de calor

 

 características 3.Electro-Optical:                                                       (Cada LED @ 60mA, TA 25℃)

Producto no. Material VF (V) Color RA Flujo (lm)
minuto máximo Coordenadas x, y del CIE minuto máximo
QT-2016ZW-1CSAZ InGaN 2,8 3,5 Tipo x=0.33, y=0.33 80 85 28

 

especificación 4.Product:

 

Artículo Especificación Material Cantidad
Microprocesador InGaN InGaN 1 en 1
Reflector Blanco PPA  
Capítulo C2680 Cobre plateado  
Alambre del oro 0.9mil Aleación  
Fósforo Amarillo YAG  
Encapsulant MilkyWhite Resina  
Cinta del portador Según espec. del EIA 481-1A Cinta negra conductora 4000pcs por carrete
Carrete Según espec. del EIA 481-1A Negro conductor 4000pcs por carrete
Etiqueta Estándar de Repsn Papel  
Bolso que embala 220x240m m Ninguno-cremallera laminada de aluminio del bolso Un bolso del carrete uno
Cartón Estándar de Repsn Papel No-especificado

 

grados máximos 5.Absolute:

 

Artículo Símbolo Grados máximos absolutos Unidad
Corriente delantera SI 60 mA
Voltaje reverso Vr 5 V
Corriente delantera pulsada IFP* 90 mA
Disipación de poder Paladio 0,2 W
Temperatura de funcionamiento TOP -40~85
Temperatura de almacenamiento Prueba -40~85
Descarga electrostática ESD 2000 (HBM) V
Temperatura de empalme Tj 110
Resistencia termal del LED S-j de Rth 27 ℃/W

 

curvas de características electrópticas 6.Typical:

la CA 3V 2016 20-30LM llevó la luz de bulbo de Chip Led Smd Bead Chips 1

 

Lista de pruebas de la confiabilidad 7.LED:

 

Artículo de la prueba Condiciones de prueba Estándar Qty (PC)
Prueba de vida 25℃, 1000Hrs@60mA / 22
Temperatura alta 85℃, 1000Hrs@60mA / 22
Baja temperatura -40℃, 1000Hrs@60mA / 22
Calor de la humedad alta

85℃, 85%RH,

1000Hrs@60mA

/ 22
Almacenamiento de la baja temperatura -40℃, 1000Hours

JEITA ED-4701

200 202

22
Almacenamiento de alta temperatura 100℃, 1000Hours

JEITA ED-4701

200 201

22
Ciclo de la temperatura (- 40' C 30mins --25' C (5mins)--100 ' C (30mins), tarifa cambiante de los temporeros: 3+/-0.6' C/min)

JEITA ED-4701

100 105

22
Choque termal -40 ' C (15mins) --100 ' C (15mins), tiempo cambiante <5mins> MIL-STD-202G 22
Prueba de vida del pulso Tp=1ms, DC=0.1, D=Tp/T @ 3×60mA, 1000Hours / 22
Prueba del ESD (HBM) prueba 3times de 2000V, de 200V/Step, delantera y reversa

AEC

(Q101-001)

22
Resistencia que suelda

260±5℃, 10S, 3times

Tratamiento previo 30℃, 70%RH

JEITA ED-4701

300 302

22
Decaimiento del flujo IV

260±5℃, 10S, 1time

Tratamiento previo 30℃, 70%RH, 168Hours

/ 22
Criterios del juicio
Voltaje delantero VF Máximo-aumento de VF < 1="">
IR actual reverso Máximo-aumento del IR < IRmax="">
Intensidad luminosa IV IV decaimiento < 40="">
El ※ suelda criterios de prueba de capacidad: la cobertura no es menos del 95%
Nota: La medida será tomada después de que las muestras probadas se hayan vuelto a las condiciones ambiente normales (generalmente después de dos horas)

 

8. Precauciones:

El material encapsulado del LED es silicón. Por lo tanto los LED tienen una superficie suave en

Top del paquete. La presión a la superficie superior será influencia a la confiabilidad del LED. Las precauciones se deben tomar para evitar la presión fuerte sobre la partición encapsulada. Tan cuándo consumir la boca de la cosecha, la presión sobre la resina de silicón debe ser apropiada.

8,1: Soldador:

8.1.1 cuando debe la mano que suelda, la temperatura del hierro menos que 300℃ por 3 segundos.

8.1.2 la soldadura de la mano se debe hacer solamente una mide el tiempo

8,2: Instrucciones SMT el soldar de flujo de SMT:

8.2.1 el soldar de flujo no se debe hacer más de dos veces;

8.2.2 cuándo soldando, no ponga la tensión en el LED durante la calefacción;

8.2.3 el perfil recomendado el soldar de flujo como siguiente:

la CA 3V 2016 20-30LM llevó la luz de bulbo de Chip Led Smd Bead Chips 2

 

8,3 manipulación de precauciones

8.3.1Handle el componente a lo largo de la superficie lateral usando el fórceps o las herramientas apropiadas;

                                                                     la CA 3V 2016 20-30LM llevó la luz de bulbo de Chip Led Smd Bead Chips 3

8.3.2 no toque ni maneje directamente la superficie de la lente del silicón. Puede dañar el conjunto de circuitos interno;

                        la CA 3V 2016 20-30LM llevó la luz de bulbo de Chip Led Smd Bead Chips 4

 

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