MICROPROCESADOR de 3V 700MA 2W CERAMIC3030 40-50LM 440-460NM SMD LED PARA PLANTLIGHTING

Informacion basica
Lugar de origen: SUZHOU
Nombre de la marca: PHOENIX
Certificación: ANSI/ESDA/JEDEC JS-001
Número de modelo: CERAMIC3030
Cantidad de orden mínima: 5000pcs
Precio: Negotiation
Detalles de empaquetado: 4000PCS /ROLL
Tiempo de entrega: 7-10 días
Condiciones de pago: Western Union, MoneyGram, T/T
Capacidad de la fuente: 4000K POR MES
Nombre: SMD LED CERAMIC3030 BIUE λd: 440-460nm
Poder: 2W voltaje del nput (V): 3V
Flujo luminoso (lm): 40-50lm Garantía (año): 2 años
Hora laborable (horas): 20000 Temperatura de funcionamiento (℃): -40-85

MICROPROCESADOR de 3V 700MA 2W CERAMIC3030 40-50LM 440-460NM SMD LED PARA la ILUMINACIÓN de la PLANTA

Característica

La planta profesional llevó:
(660 nanómetro) las versiones azul marino (450 nanómetro) y ultra rojas proporcionan la luz requerida para la fotosíntesis
La versión del infrarrojo lejano (730 nanómetro) puede controlar el proceso entero de plantas de la germinación al crecimiento vegetativo y entonces al flowerin
La luz blanca de EQ puede realizar el ambiente de trabajo humanizado
Alto rendimiento energético (μ mol/J)
Alto máximo de la corriente de impulsión
Resistencia termal baja
Ángulos múltiples de la radiación - 80 120 del ° y 150 de la iluminación del ° características amplias del °,
Paquete de cerámica altamente confiable con vida de servicio y resistencia a la corrosión largas
Rugoso incluso en ambientes mojados
Además, también proporciona la luz azul, la luz verde verdadera, la luz ámbar, la luz roja y otras versiones, que son convenientes para las necesidades de iluminación especiales
Calor óptimo/coeficiente frío del flujo (85 ° C ~ 25 ° C)
 
Grados máximos

Valores del símbolo del parámetro

Temperatura de funcionamiento

T

de Op. Sys.

mínimo.

máximo.

-40 °C

°C 120

Temperatura de almacenamiento

T

stg

mínimo.

máximo.

-40 °C

°C 120

Temperatura de empalme T máximo. °C 135
Absolute* de la temperatura de empalme Tjabs máximo. °C 150
Corriente delantera Yo

mínimo.

máximo.

100 mA

2000 mA

Sobretensión

µs del ≤ 10 de t; D el = 0.005%; TJ = °C 25

FS máximo. 2000 mA
Voltaje reverso 2) V   No diseñado para la operación reversa

El ESD soporta voltaje

CRNA. a ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 (HBM, clase 3B)

ESD   8 kilovoltios

Esto es verificada probando 30 pedazos. Criterios del paso: Ningunos fracasos catastróficos permitidos, flujo luminoso deben ser mejores que L70B50 después de H. 1000.

 

Características

I = 700 mA; TJ = °C 25

Valores del símbolo del parámetro

Longitud de onda máxima λpeak                    tipo.                           445 nanómetro

Longitud de onda dominante 3)

I = 700 mA

                              mínimo                         444 nanómetro

                              tipo.                          450 nanómetro

                              máximo                        457 nanómetro

Ancho de banda espectral en el rel, máximo ∆λ                          tipo.                          18 nanómetro
Ángulo de visión en el 50% IV 2φ                          tipo.                          ° 120

Voltaje delantero 4)

I = 700 mA

VF                         mínimo                          2,80 V

                              tipo.                           2,90 V

                              máximo                         3,20 V

2) actual reverso IR                No diseñado para la operación reversa
Empalme eléctrico/solderpoint de la resistencia termal con el ηe de la eficacia el = 65% RthJS eléctrico            tipo.                       1,3 K/W

 

Grupos del voltaje delantero

Voltaje delantero del grupo 4)

                                 

I = 700 mA

VF:

2.8v 2.9v
2.9v 3.0v
3.0v 3.1v
3.1v 3.2v

 

Longitud de onda

Grupo

Longitud de onda dominante 3)

I = 700 mA

λdom

444nm 449nm
449nm 453nm
453nm 457nm

 

 

                                                                           

 Emisión espectral relativa

                                               

Irel = f (λ); SI = 700 mA; TJ = °C 25

MICROPROCESADOR de 3V 700MA 2W CERAMIC3030 40-50LM 440-460NM SMD LED PARA PLANTLIGHTING 0

Características de la radiación

Irel = f (ϕ); TJ = °C 25

MICROPROCESADOR de 3V 700MA 2W CERAMIC3030 40-50LM 440-460NM SMD LED PARA PLANTLIGHTING 1

MICROPROCESADOR de 3V 700MA 2W CERAMIC3030 40-50LM 440-460NM SMD LED PARA PLANTLIGHTING 2

MICROPROCESADOR de 3V 700MA 2W CERAMIC3030 40-50LM 440-460NM SMD LED PARA PLANTLIGHTING 3

 

 

 

Dibujo dimensional

MICROPROCESADOR de 3V 700MA 2W CERAMIC3030 40-50LM 440-460NM SMD LED PARA PLANTLIGHTING 4

 

Información adicional:                                                  magnesio 29,0

 

Peso aproximado: Marca del paquete:                  Cátodo

Prueba de corrosión:                                                          Clase:   3B

                                                                                 Condición de prueba: derecho/15 PPM de 40°C/el 90% de H2S/14 días (de más estricto que IEC 60068-2-43)

Consejo del ESD:                                                             El dispositivo es protegido por el dispositivo del ESD que está conectado paralelamente con el microprocesador.

                     

Perfil el soldar de flujo

El producto cumple al CRNA del nivel 2 de MSL. a JEDEC J-STD-020E

 

Característica del perfil                                              Símbolo                 Asamblea Pb-libre (de SnAgCu)       Unidad

                                                                                         Máximo mínimo de la recomendación

Tarifa de la rampa-para arriba al preheat*)                               2

°C 25 al °C 150

3 K/s

tS                                                                    60                           100

T a T

120 s

Tarifa de la rampa-para arriba al peak*)                                                                   2

T a T

3 K/s
Temperatura TL de Liquidus                                                                217   °C
Tiempo sobre la temperatura tL del liquidus                                               80 100 s
Temperatura máxima T                                                                       245 260 °C

Tiempo dentro del °C 5 del pico especificado               10                        20

temperatura TP - 5 K

30 s

Rate* de la rampa-abajo                                                                            3

T al °C 100

6 K/s

Tiempo

°C 25 al TP

480 s

 

Todas las temperaturas refieren al centro del paquete, medido en el top del componente * cálculo DT/Dt de la cuesta: Máximo 5 s de despegue; cumplimiento para el t entero

 

Contacto
admin

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