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Backlighting High lumen 2016 3V 60MA 0.2W 26-28LM 6500K PCT SMD LED CHIP Phone Flash light

Informacion basica
Place of Origin: SUZHOU
Nombre de la marca: PHOENIX
Certificación: LM80 CE ROHS
Model Number: 2016
Minimum Order Quantity: 16000PCS
Precio: Negociable
Packaging Details: 4000PCS /ROLL
Delivery Time: 7-10 DAYS
Payment Terms: Western Union, MoneyGram, T/T
Supply Ability: 400KK PER MONTH
nombre: Color blanco de SMD LED 2016 Flujo luminoso (lm): 28-30lm
Índice de representación de color (Ra): 80 CCT: 6500K
Poder: 0.2W voltaje del nput (V): 3V
Garantía (año): 2 años Hora laborable (horas): 20000
Temperatura de funcionamiento (℃): -40-85 Eficacia luminosa de la lámpara (lm/w): 140

Hacer excursionismo la alta luz del PCT SMD LED CHIP Phone Flash del lumen 2016 3V 60MA 0.2W 26-28LM 6500K
 
1.Product Freatures

. Eficacia de 140 lm/W típicos para 6500K, CRI 80

. Adopte el microprocesador y el marco, buena estabilidad antiestática de la buena calidad ultra de poca atenuación

. Alto brillo, representación de alto color de poca atenuación

. Opciones del CRI del mínimo 80, 90 y 95

. Soldadura fuerte y buena luz de los undead de la estabilidad

 

. Serie de productos y logotipo de la compañía en el frente

. Certificación del CE ROHS LM80

 

. Ángulo de visión: 120 grados
el soldar sin plomo obediente de .RoHS compatible
estructura 2.Package

Backlighting  High lumen 2016  3V 60MA 0.2W 26-28LM 6500K PCT SMD  LED CHIP  Phone Flash light 0Backlighting  High lumen 2016  3V 60MA 0.2W 26-28LM 6500K PCT SMD  LED CHIP  Phone Flash light 1

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grados máximos 3.Absolute
 

ArtículoSímboloGrados máximos absolutosUnidad
Corriente delanteraSI60mA
Voltaje reversoVr5V
Corriente delantera pulsadaIFP*90mA
Disipación de poderPaladio0,2W
Temperatura de funcionamientoTOP-40~85
Temperatura de almacenamientoPrueba-40~85
Descarga electrostáticaESD2000 (HBM)V
Temperatura de empalmeTj110
Resistencia termal del LEDS-j de Rth27℃/W

 
curvas de características electrópticas 4.Typical

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Lista de pruebas de la confiabilidad 5.LED

 

Artículo de la pruebaCondiciones de pruebaEstándarQty (PC)
Prueba de vida25℃, 1000Hrs@60mA/22
Temperatura alta85℃, 1000Hrs@60mA/22
Baja temperatura-40℃, 1000Hrs@60mA/22
Calor de la humedad alta

85℃, 85%RH,

1000Hrs@60mA

/22
Almacenamiento de la baja temperatura-40℃, 1000Hours

JEITA ED-4701

200 202

22
Almacenamiento de alta temperatura100℃, 1000Hours

JEITA ED-4701

200 201

22
Ciclo de la temperatura(- 40' C 30mins --25' C (5mins)--100 ' C (30mins), tarifa cambiante de los temporeros: 3+/-0.6' C/min)

JEITA ED-4701

100 105

22
Choque termal-40 ' C (15mins) --100 ' C (15mins), tiempo cambiante <5mins> MIL-STD-202G22
Prueba de vida del pulsoTp=1ms, DC=0.1, D=Tp/T @ 3×60mA, 1000Hours/22
Prueba del ESD (HBM)prueba 3times de 2000V, de 200V/Step, delantera y reversa

AEC

(Q101-001)

22
Resistencia que suelda

260±5℃, 10S, 3times

Tratamiento previo 30℃, 70%RH

JEITA ED-4701

300 302

22
Decaimiento del flujo IV

260±5℃, 10S, 1time

Tratamiento previo 30℃, 70%RH, 168Hours

/22
Criterios del juicio
Voltaje delantero VFMáximo-aumento de VF < 1="">
IR actual reversoMáximo-aumento del IR < IRmax="">
Intensidad luminosa IVIV decaimiento < 40="">
El ※ suelda criterios de prueba de capacidad: la cobertura no es menos del 95%
Nota: La medida será tomada después de que las muestras probadas se hayan vuelto a las condiciones ambiente normales (generalmente después de dos horas)

 

 
 
  

Contacto
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